中國團隊對新光刻技術(shù)已申請完整專利，但要應(yīng)用量產(chǎn)，仍任重道遠

 

　　近日中科院官網(wǎng)報道，我國科研人員發(fā)表一種可進行5納米超高精度激光光刻加工方法的論文，而此前荷蘭ASML公司則表示全世界擁有7納米以下的光刻技術(shù)只能采用自家EUV。這是否意味著中國將打破西方的光刻技術(shù)封鎖？其實不然，目前此技術(shù)還只停留在實驗室中的研發(fā)階段，而想要量產(chǎn)任重道遠，并且真正運用于光刻機中也并非單項技術(shù)可以解決。所以還要理清思緒，不能被一些自吹自大的言論帶偏節(jié)奏。

　　在論文中可以得知該團隊擁有完整知識產(chǎn)權(quán)的激光直寫技術(shù)，激光直寫是利用強度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實施變劑量曝光，顯影后在抗蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，我國團隊正是在此技術(shù)上做出重要的突出改革。光刻機分為接觸光刻機、接近光刻機、投影光刻機和三束直寫光刻機，接觸與接近雖然價格相對便宜，但有著使掩膜版受損、污染和分辨率略低等缺陷。而投影光刻機設(shè)備昂貴，系統(tǒng)還非常復雜，其后續(xù)的保養(yǎng)與維護也是相當?shù)囊还P費用。

　　而此次所研究的直寫光刻機不需要昂貴的掩膜版，靈活性與分辨率都很高，不過傳統(tǒng)劣勢是生產(chǎn)效率極低，無法用于規(guī)?；纳a(chǎn)。不過此次我國科研人員的研究發(fā)現(xiàn)一種新型三層堆疊薄膜結(jié)構(gòu)，可采用雙激光束交疊技術(shù)達到最小5納米的特征線寬，最重要的則是實現(xiàn)納米狹縫電極陣列結(jié)構(gòu)的大規(guī)模制備。常規(guī)制備一個納米狹縫電極需要10-20分鐘，而采取這種新的激光直寫技術(shù)，一小時可制備5x10五次方個納米狹縫電極，打破直寫激光技術(shù)不可大規(guī)模生產(chǎn)的桎梏。
　　?中科院目前網(wǎng)站上已經(jīng)找不到這篇論文，這主要是因為不少網(wǎng)民對于光刻機話題過于敏感，紛紛抱著“打破西方技術(shù)封鎖”、“拯救華為”等旗號瘋狂轉(zhuǎn)載，產(chǎn)生一種不冷靜、不客觀的情緒來看待這項學術(shù)成果。直寫激光不能直接對芯片進行加工，只是光刻機中的一部分，而且想要融入還任重道遠。不過客觀上確實使國產(chǎn)光刻向前邁進一大步，也是不爭的事實。